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三星电子推出3纳米制程工艺 将采用GAA技术

11月22日消息,据国外媒体报道,上周六,三星电子推出了多款与3纳米芯片制造工艺相关、有助于强化代工生态系统战略的设计工具和技术。根据

TechWeb 2021-11-23 13:40:08

三星披露最新工艺进展和路线图 3nm GAA性能路线公开

近日举办的三星代工论坛2021大会上,三星披露了最新工艺进展和路线图。FinFET晶体管结构的潜力几乎已被挖掘。三星下一步就是用GAA环绕栅极

中关村在线 2021-10-09 13:33:15

曝三星3nm GAA存漏电等缺陷 最早或于2022年实现量产

上周有报道称,三星电子装置解决方案事业部门技术长Jeong Eun-seung在一场网络技术论坛中透露,三星能够抢在主要竞争者台积电之前,宣布GA

快科技 2021-08-30 11:02:34

台积电2nm制程研发取得突破 三星拟在3nm率先导入GAA技术

据台湾媒体报道,台积电冲刺先进制程,在 2nm 研发有重大突破,已成功找到路径,将切入环绕式栅极技术 (gate-all-around,简称 GAA)技

TechWeb 2020-07-13 15:40:06

三星明年完成3nm GAA工艺开发 预计2021年量产

尽管日本严格管制半导体材料多少都会影响三星的芯片、面板研发、生产,但是上周三星依然在日本举行了三星晶圆代工论坛SFF会议,公布了旗下

快科技 2019-09-11 08:17:13