国产存储器迎来新突破。4月13日,长江存储宣布成功研发两款128层闪存产品。128层QLC 3D NAND 闪存芯片单颗容量达1 33Tb,另一款为128层5
128层QLC 3D NAND闪存芯片X2-6070研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。长江存储表示,X2-6070是业内首款128层QL
6月26日消息,SK海力士宣布已完成128层1Tb 3D TLC NAND闪存的开发。这款新型存储器采用了该公司的CTF设计,以及4DNAND的PUC架构。新的12