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SK海力士:DRAM内存或引入EUV极紫外光刻 可将工艺制程推进10nm以下

存储大厂SK海力士的CEO李锡熙(Seok-Hee Lee)近日在IEEE国际可靠性物理研讨会上发表主题演讲,分享了在闪存、内存未来发展方面的一些规划和

快科技 2021-03-25 10:23:06